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巴鲁夫微脉冲位移传感器主要型号
点击次数:151 更新时间:2016-11-18

巴鲁夫微脉冲位移传感器主要型号
巴鲁夫微脉冲位移传感器轴带动信号盘旋转一圈,因此,G信号传感器将产生6个脉冲信号。Ne信号传感器将产生360个脉冲信号。因为G信号透光孔间隔弧度为60。,曲轴每旋转120。就产生一个脉冲信号,所以通常G信号称为120。信号。设计安装保证120。信号在上止点前70。(BTDC70。)时产生,且长方形宽边稍长的透光孔产生的信号对应于发动机气缸1上止点前70。,以便ECU控制喷油提前角与点火提前角。因为Ne信号透光孔间隔弧度为1。(透光孔占0.5。,遮光孔占0.5。),所以在每一个脉冲周期中,高、低电平各占1。曲轴转角,360个信号表示曲轴旋转720。。曲轴每旋转120。,G信号传感器产生一个信号,BALLUFF微脉冲位移传感器产生60个信号。 传感器随曲轴旋转时,由磁感应式传感器工作原理可知,信号转子每转过一个凸齿,传感线圈中就会产生一个周期性交变电动势(即电动势出现一次zui大值和一次zui小值),线圈相应地输出一个交变电压信号。因为信号转子上设有一个产生基准信号的大齿缺,所以当大齿缺转过磁头时,信号电压所占的时间较长,即输出信号为一宽脉冲信号,该信号对应于气缸1或气缸4压缩上止点前一定角度。电子控制单元(ECU)接收到宽脉冲信号时,便可知道气缸1或气缸4上止点位置即将到来,至于即将到来的是气缸1还是气缸4,则需根据凸轮轴位置传感器输入的信号来确定。由于信号转子上有58个凸齿,因此信号转子每转一圈(发动机曲轴转一圈),传感线圈就会产生58个交变电压信号输入电子控制单元。 BALLUFF微脉冲位移传感器属于电感式传感器的一种。它是利用线圈自感量的变化来实现测量的,它由线圈、铁芯和衔铁三部分组成。铁芯和衔铁由导磁材料如硅钢片或坡莫合金制成,在铁芯和衔铁之间有气隙,传感器的运动部分与衔铁相连。当被测量变化时,使衔铁产生位移,引起磁路中磁阻变化,从而导致电感线圈的电感量变化,因此只要能测出这种电感量的变化,就能确定衔铁位移量的大小和方向。 传感器的工作原理如图2-22所示。信号盘安装在发光二极管(LED)与光敏晶体管(或光敏二极管)之间。当信号盘上的透光孔旋转到LED与光敏晶体管之间时,LED发出的光线就会照射到光敏晶体管上,此时光敏晶体管导通,其集电极输出低电平(0.1~O.3V);当信号盘上的遮光部分旋转到LED与光敏晶体管之间时

巴鲁夫微脉冲位移传感器

BALLUFF微脉冲位移传感器的线圈匝数和材料导磁系数都是一定的,其电感量的变化是由于位移输入量导致线圈磁路的几何尺寸变化而引起的。当把线圈接入测量电路并接通激励电源时,就可获得正比于位移输入量的电压或电流输出。电感式传感器的特点是:①无活动触点、可靠度高、寿命长;②分辨率高;③灵敏度高;④线性度高、重复性好;⑤测量范围宽(测量范围大时分辨率低);⑥无输入时有零位输出电压,引起测量误差;⑦对激励电源的频率和幅值稳定性要求较高;⑧不适用于高频动态测量。电感式传感器主要用于位移测量和可以转换成位移变化的机械量(如力、张力、压力、压差、加速度、振动、应变、流量、厚度、液位、比重、转矩等)的测量。常用电感式传感器有变间隙型、变面积型和螺管插铁型。在实际应用中,这三种传感器多制成差动式,以便提高线性度和减小电磁吸力所造成的附加误差。 变间隙型电感传感器 这种传感器的气隙δ随被测量的变化而改变,从而改变磁阻(图1)。它的灵敏度和非线性都随气隙的增大而减小,因此常常要考虑两者兼顾。δ一般取在0.1~0.5毫米之间。变面积型电感传感器 这种传感器的铁芯和衔铁之间的相对覆盖面积(即磁通截面)随被测量的变化而改变,从而改变磁阻(图2)。它的灵敏度为常数,线性度也很好。螺管插铁型电感传感器 它由螺管线圈和与被测物体相连的柱型衔铁构成。其工作原理基于线圈磁力线泄漏路径上磁阻的变化。衔铁随被测物体移动时改变了线圈的电感量。这种传感器的量程大,灵敏度低,结构简单,便于制作。

巴鲁夫微脉冲位移传感器


Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0025-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0050-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0075-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0100-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0125-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0150-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0175-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0200-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0225-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0250-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0275-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0300-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0325-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0350-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0375-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0400-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0425-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0450-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0475-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0500-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0550-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0600-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0650-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0700-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0750-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0800-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0800-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0850-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0900-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M0950-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M1000-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M1100-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M1200-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M1300-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M1400-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M1500-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M1600-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M1700-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M1800-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M1900-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M2000-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M2250-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M2500-B-S32
Balluff巴鲁夫微脉冲位移传感器BTL5-A11-M2750-B-S32
 

 
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